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横型オーバーフロー蓄積容量を用いた飽和電荷量120ke-,変換ゲイン 160µV/e-を有する2.8µm裏面照射型画素の光学特性

2019 Sep. 20

Authors *宮内 健, *盛 一也, *高柳 功, *中村 淳一, **須川 成利

*ブリルニクスジャパン株式会社
**東北大学大学院工学研究科

映像情報メディア学会、情報センシング

本論文では,単一露光での広ダイナミックレンジセンサの更なる性能向上のために,裏面照射テクノロジーを用いた横型オーバーフロー蓄積容量(LOFIC)画素を新規に採用した試作チップの光学特性について報告する.本画素構造により,160µV/e-のコンバージョンゲイン,120ke-の飽和電荷数,ブルーミング無しで量子効率70%以上,±20度での角度依存性>91% (マイクロレンズ未最適化)を達成した