Paper

(In Japanese)4T型構造を用いた線形応答DCG型CMOSイメージセンサ画素の検討

2024 Sep

Authors 坂野 綾香*,
宮内 健**,
竹本 周平*,
大谷 愛*,
森川 有輝**,
大和田 英樹**,
郭 家祺**,
高柳 功**,
大倉 俊介*

映像情報メディア学会 情報センシング研究会
https://www.ite.or.jp/ken/paper/20240925aAmt/

屋外などの照度差の大きい環境で用いるイメージセンサには高いダイナミックレンジ(HDR : High Dynamic Range)が求められる.我々の研究グループでは,4T 型画素構造を用いて 2 回読み出しを行うデュアルコンバージョンゲイン(DCG : Dual Conversion Gain)型 HDR CMOS イメージセンサを検討しており,既存の DCG と同等のダイナミックレンジを実現することができるが,線形性が低下する課題がある.本稿では,線形性を向上する手法として,大きな転送ゲート(TG)を用いる画素構造を提案する.デバイスシミュレーションより,フォトダイオード(PD:Photo Diode)の飽和信号量が 20 ke− のとき DR が 85.4 dB,線形誤差が 1.7 % となる見込みを得た.